产品介绍安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。产品特点 ● 开关速度快 ●栅极···

安建半导体(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高应用系统的整体效率，更能降低能···

新品推介750V-340A IGBTJSAB正式推出兼容国外一流品牌的TPAK封装的750V-340A IGBT，产品外观、内部电路拓扑及封装外形尺寸如下图所示：产品特点● 第7代沟槽-场截止设计，实现更低的VCE(sat)● 低开关损耗● 最高结温···

新品推介1200V-900A 模块JSAB正式推出兼容国外一流品牌的EconoDual3和62mm封装的1200V-900A模块，产品型号为 JGAQ900F120DM和JG1G900F120DM。产品采用JSABAQ-Pack和1G-Pack封装，产品外观、内部电路拓扑以及封装外形···

新品推介1000V-600A ANPC 三电平模块JSAB正式推出兼容国外一流品牌的Flow S3封装的1000V-600A模块，产品型号为 JG2R600AL100HG_B3和JG2R600AL100HG_B4。产品采用JSAB 2R-Pack封装，产品外观、内部电路拓扑以及POD如下···

新品推介1000V-400A ANPC 三电平模块JSAB正式推出兼容国外一流品牌的EasyPACK-3B封装的1000V-400A模块，产品型号为 JG3R400AL100HT。产品采用JSAB 3R-Pack封装，产品外观、内部电路拓扑以及POD如下图所示：产品特点●···

背景介绍依托于光刻机的光罩（Litho）工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺，光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型IGBT一般采用9-10层光罩进行加工。安建早于2019年即在国···

1200V-150A/225A/300A储能用三电平模块 JSAB正式推出兼容国外一流品牌的EasyPACK-3B封装的1200V-150A/225A/300A模块，产品型号分别为：JG1R150NL120HG、JG1R225NL120HG和JG1R300NL120HG。三款产品均采用JSAB 1R-Pack···