新品推介
我们为高端芯片国产化赋能
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
● 开关速度快
● 栅极电荷低
● 雪崩耐量高
● 短路能力强
● 可靠性高
● 电动汽车
● 太阳能逆变器
● 储能系统
● 不间断电源
安建半导体对此款自研SiC MOSFET产品做了动静态、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等测试，性能参数与国际竞品相当。雪崩耐量为国际知名品牌同规格产品的200%，在短路时间3us下可安全关断800A电流。此外，该款芯片已通过1000h可靠性考核。
静态输出特性：
开关波形：
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UIS波形：
安建半导体1200V-17mΩ SiC MOSFET具备如下优异性能：
● 通过设计上的优化，确保具有稳定的击穿特性，增强UIS能力。
● 在短路时间3us下安全关断800A电流。
● 已通过国际最高标准的1000小时HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。
安建半导体即将推出兼容国际一线品牌封装的SiC模块，敬请期待！
安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎与我们联系 sales@jsab-tech.com 。
